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ROHM新增5款100V耐压双MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻
12345zhi | 2023-08-25 11:25:47    阅读:191   发布文章

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全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向通信****和工业设备等的风扇电机驱动应用,开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)系列”和“HP8MEx(Nch+Pch*2)系列”两个系列,共5款新机型。

近年来,在通信****和工业设备领域,为了降低电流值、提高效率,以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统,电源电压呈提高趋势。此外,用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源,考虑到电压波动,起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面,提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高,效率会变差,因此,如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻,是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动,为了节省空间,对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。

在这种背景下,ROHM采用新工艺开发出Nch和Pch的MOSFET芯片,并通过采用散热性能出色的背面散热封装形式,开发出实现业界超低导通电阻的新系列产品。

新产品通过采用ROHM新工艺和背面散热封装,实现了业界超低的导通电阻(Ron)*3(Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。与普通的双MOSFET相比,导通电阻降低达56%,非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外,通过将两枚芯片一体化封装,可以减少安装面积,有助于应用设备进一步节省空间。例如HSOP8封装的产品,如果替换掉两枚单MOSFET(仅内置1枚芯片的TO-252封装),可以减少77%的安装面积。

新产品已于2023年7月开始暂以月产100万个(样品价格550日元/个,不含税)的规模投入量产。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过Ameya360电商平台均可购买。

目前,ROHM正在面向工业设备领域扩大双MOSFET的耐压阵容,同时也在开发低噪声产品。未来,将通过持续助力各种应用产品进一步降低功耗并节省空间,为解决环境保护等社会问题不断贡献力量。

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产品阵容

Nch+Nch 双MOSFET

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Nch+Pch 双MOSFET

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*预计产品阵容中将会逐步增加40V、60V、80V、150V产品。

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